RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Comparar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Pontuação geral
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
73
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,423.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
64
Velocidade de leitura, GB/s
3,510.5
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,423.3
8.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
476
2103
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link