RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
64
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
29
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
3779
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link