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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
51
64
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.5
1,869.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
51
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
1941
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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