RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
50
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
36
Velocità di lettura, GB/s
15.3
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
3449
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM3X2GSD1066 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link