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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
50
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
36
读取速度,GB/s
15.3
17.1
写入速度,GB/s
10.9
14.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3449
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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