RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
50
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
15.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
10.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
35
Velocità di lettura, GB/s
15.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
2923
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link