RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
50
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2923
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link