RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Confronto
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
50
Intorno -85% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
27
Velocità di lettura, GB/s
15.3
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.9
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2512
2148
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link