RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
50
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
2148
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link