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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
13.9
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.9
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2389
2382
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
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