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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
13.9
12.2
写入速度,GB/s
9.9
9.3
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2389
2382
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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