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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
46
左右 -171% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
17
读取速度,GB/s
2,909.8
22.1
写入速度,GB/s
1,519.2
17.2
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
4042
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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