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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
36
Velocità di lettura, GB/s
15.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2767
2554
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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