RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
94
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
94
Velocità di lettura, GB/s
15.7
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2767
1506
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link