RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 94
    周辺 63% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
V-GEN D4H4GS24A8 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 94
  • 読み出し速度、GB/s
    15.7 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2767 left arrow 1506

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較