RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
33
Intorno -3% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
32
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
2895
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link