RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
33
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2987
2895
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link