RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Confronto
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
13.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
39
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
13.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2987
3177
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HMT41GU7AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link