Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 36
    Intorno 3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 15.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.5 left arrow 11.3
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 36
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.5 left arrow 15.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.3 left arrow 11.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2848 left arrow 2814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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