RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Confronto
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
24
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
22
Velocità di lettura, GB/s
14.9
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3139
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link