RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
45
Intorno -137% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
19
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2991
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link