Confronto tra le RAM Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

24 122

Intorno 80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.9 9.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.6 5.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2196 1411

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns