RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
122
Около 80% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
122
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
10.6
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
1411
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link