RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Confronto
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
36
Velocità di lettura, GB/s
14.9
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2196
3256
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link