Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Xingmem Technology Corp  16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 43
    Intorno 44% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.9 left arrow 14.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 7.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    24 left arrow 43
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.9 left arrow 14.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.6 left arrow 7.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2196 left arrow 2128
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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