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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
43
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
7.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2128
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
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