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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
94
Intorno 59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
94
Velocità di lettura, GB/s
15.5
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2264
1390
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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