RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
94
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
94
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.2
Скорость записи, Гб/сек
11.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2264
1390
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link