RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
38
Intorno -73% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
22
Velocità di lettura, GB/s
15.5
12.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
1886
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link