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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
比較する
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
8.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
38
周辺 -73% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
22
読み出し速度、GB/s
15.5
12.4
書き込み速度、GB/秒
12.0
8.3
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
1886
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB RAMの比較
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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