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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
39
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2771
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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