RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2771
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link