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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
37
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3529
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Inmos + 256MB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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