RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
38
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
37
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3529
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link