RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
65
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2333
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link