RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
27
Velocità di lettura, GB/s
15.5
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3683
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link