RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3683
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link