RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3683
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link