Confronto tra le RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 21300

Intorno 1.2% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 38

Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.8 15.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.5 12.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2283 2880

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns