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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
11.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3115
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
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