Confronto tra le RAM Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 19.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,168.2 16.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

32 60

Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 5300

Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

941 3726

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns