RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
60
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3726
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link