RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
60
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3726
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link