RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,168.2
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
60
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
3726
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link