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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
11.9
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3609
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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