Confronto tra le RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 86

Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.7 12.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.5 5.7

Valore medio nei test

Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 8500

Intorno 2.26 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1988 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns