Comparaison de la RAM Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Note globale

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 86

Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.7 12.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.5 5.7

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 8500

Autour de 2.26 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1988 1220

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns