RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3007
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link