RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
44
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3007
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link