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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
86
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
86
读取速度,GB/s
12.7
12.1
写入速度,GB/s
7.5
5.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1220
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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