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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
29
Velocità di lettura, GB/s
11.9
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2865
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
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