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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2865
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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