RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2865
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link